型号 | SP8K4FU6TB |
厂商 | Rohm Semiconductor |
描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V 9A 8SOIC |
SP8K4FU6TB PDF | |
代理商 | SP8K4FU6TB |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 17 毫欧 @ 9A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 21nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 1190pF @ 10V |
功率 - 最大 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOICN |
包装 | 带卷 (TR) |